全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

 

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内,配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用,为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今,IR新增了这些封装,能够提供一系列低压PQFN产品,包括N通道和P通道器件,20V和30V器件,最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件,以及单器件或双器件,它们都拥有极低的导通电阻。”

 

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm,与现有的表面贴装技术相兼容,并且拥有符合行业标准的占位空间,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品

HEXFET 功率 MOSFET
  分立HEXFET功率 MOSFET
    N沟道
      DirectFET
    P沟道
  双HEXFET功率 MOSFET
    双N沟道
    双P沟道
    双N和P沟道

汽车系统
  分立HEXFET功率 MOSFET
    DirectFETs
  双HEXFET功率 MOSFET
  IGBT
  智能功率开关
  高压栅极驱动器

IGBT
  分立
  复合封装: IGBT和反并联二圾管
  智能功率模块

智能功率开关

继电器
  光伏特继电器
  光伏特隔离器

芯片产品及服务
  芯片产品
  EPI 服务

集成电路
  AC-DC
    ORing控制器
    PFC IC
    共振控制器
    同步整流IC驱动
  音效功放
    数字音频驱动
  DC-DC
    多相位IC
    POL集成式稳压器及IC
      SupIRBuck
      iPOWIR
      POL ICs
    有源ORing
    功率监控IC
    直流母线
  照明
    CCFL镇流控制器
    荧光灯镇流控制器
    卤素灯镇流控制器
    HID镇流控制器
    LED镇流控制器
  电机控制
    模似运动IC
    智能功率模块
    无传感器电机驱动IC
  一般用途IC
    高压栅极驱动IC

参考设计包
  AC-DC IC
  DC-DC高频同步降压稳压器
  DC-DC开关控制器
  DC-DC电压稳压器
  音效功放
  照明
  电机驱动

宇航产品
  高可靠性功率MOSFET
    高可靠性同步整流器
    抗辐射单芯片
    抗辐射多芯片
    标准密封单芯片
    标准密封多芯片
  高可靠性电机控制模块
    三相直流无刷电机控制器
    IGBT栅极驱动器模块
    IGBT模块
    总驱动 - 数字电机驱动模块
  高可靠性DC-DC转换器
    军用、商用和航空航天应用
    运载火箭
    宇航级数字电路/中间总线应用
    宇航级通用DC-DC
    宇航级RF低功耗DC-DC
    高温应用
  高可靠性EMI滤波器
  高可靠性电压调节器
    固定电压输出
    可调电压输出
    LDO固定电压输出
    LDO可调电压输出
    ULDO可调电压输出
    双路固定电压输出
    抗辐射POL电源
    抗辐射ULDO固定电压输出
    抗辐射ULDO可调电压输出
  高可靠性、抗辐射固态继电器
  高可靠性IGBT
  高可靠性肖特基二极管
    单管器件
    共阳极或共阴极双管器件
  高可靠性、超高速整流器
    单个器件
    共阳极或共阴极双管器件
    双管
    软恢复单管器件
    软恢复共阳极或共阴极双管器件
  高可靠性、高压栅极驱动器
    抗辐射驱动器
    密封驱动器